陈海峰

个人简介

陈海峰，博士，教授，硕士生导师，毕业于西安电子科技大学微电子学院。目前在西安邮电大学电子工程学院微电子学系工作，为新型半导体器件与材料实验室负责人。

研究方向

专注于超宽禁带半导体材料与器件，主要为氧化镓材料生长、功率器件及日盲紫探测器等领域，还涉及极低功耗半导体神经元器件等，承担并完成包括国家自然科学基金等多项科研基金，在IEEE EDL、JAP、Chinese Physics B等国内外微电子专业期刊上发表科学研究论文30余篇，授权多项国家发明专利。

教学方向

主要为微电子科学与工程专业本科生进行授课，教学方向集中在半导体领域。目前主讲课程：《半导体器件》、《计算机与微电子学导论》《半导体激光器原理》、《新型材料器件课程设计》等。

科研项目

1、陈海峰等，2020年01月01日—2021年12月31日，高质量氧化镓基实空间转移负阻器件及关键技术研究，陕西省自然科学基础研究计划面上项目，4万

发表论文

1 Haifeng Chen, et.al. Interface trap-induced negative differential resistance in nMOSFET with floating source, Physics Letters A, 2020, 126342 .

2 Haifeng Chen,et.al. Manipulation of interface trap-induced generation current by substratebias in MOSFET, IEEE Electron Device Letters, 2018, 39: 1126.

3 Haifeng Chen, et.al. Coupling mechanism of interface induced generation-recombination current with the floating source in nMOSFET, Journal of Applied Physics, 2016, 120:174504.

电子邮箱 chenhaifeng@xupt.edu.cn