谢端

个人简介

谢端，副教授，男，1979年11月出生，民建会员。2013年毕业于西北工业大学，获得电子科学与技术专业博士学位。现为西安邮电大学电子工程学院电子信息专业硕士生导师。

目前主要从事射频电路设计以及微电子器件可靠性方面的研究。主讲过《模拟集成电路设计课程设计》，《集成电路测试与封装》、《MEMS技术》、《Verilog HDL数字系统设计》、《固体物理》、《半导体材料》、《热力学统计与量子力学》等多门理论与实践课程。迄今，以第一作者身份共发表SCI检索论文9篇，EI检索论文5篇。2019年6月至2020年6月，赴比利时IMEC进行了为期一年的访学。承担过教育厅、校级科研项目各一项，横向项目两项。此外还参与了多项国家级及省部级科研项目。与他人合著《集成电路制造与封装基础》一书。

研究方向

射频电路设计、微电子器件可靠性

教学方向

集成电路设计与封装方向

科研项目

（1）谢端，2014-2017，噪声对量子时钟同步的精度影响研究，2014年陕西省教育厅专项科研计划项目（14JK1682）

（2）谢端，2021-2023，发火元件温度与雷管引爆的关系研究和实验系统开发，横向项目（HX2021-136)

（3）谢端，2023-2024,直流无刷电机(BLDC)驱动算法研究，横向项目(HX2023-167)

出版专著及教材

（1）商世广，金蕾，赵萍，谢端，2018年8月出版，集成电路制造与封装基础，科学出版社

发表论文

(1)Duan Xie , Eddy Simoen , , Hiroaki Arimura, Elena Capogreco ,Jerome Mitard, and Naoto Horiguchi,NH₃PDA Temperature-Impact on Low-Frequency Noise Behavior of Si_0.7Ge_0.3pFinFETs，IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2022，69（12）：6985-6990

(2) Duan Xie; Eddy Simoen; Haifeng Chen; Hiroaki Arimura; Naoto Horiguchi ; Impact of Dummy Gate Removal and a Silicon Cap on the Low-Frequency Noise Performance of Germanium nFinFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 67(11): 4713-4719

(3)Duan Xie; JIan Zhao ; The precision of Mach–Zehnder interferometer in the presence of bit-phase flip, Cluster Computing, 2019, 22(s4): s7885-s7894

(4) Duan Xie, Haifeng Chen.Phase precision of Mach-Zehnder interferometer in PM2.5 air pollution. Chinese Physics B,2018,27 (7): 070304

(5)Xie Duan,Chen Haifeng.Theoretically exploring the phase precision in a noisyMach-Zehnderinterferometer.Journal of the Korean Physical Society,2017,70(12):1016-1026

会议与工作论文

(1)Duan Xie; Eddy Simoen; Hiroaki Arimura ; Studying the Reliability of Ge nFinFETs by the Normalized Input-referred Voltage Noise, 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technology, KunMing,China, 2020-11-03至2020-11-06

电子邮箱 xieduan@xupt.edu.cn