王湛

 

个人简介

王湛,讲师,男,1991年12月生,陕西西安人,中共党员,2014年获西安电子科技大学电子科学与技术专业学士学位,2020年获得材料物理与化学专业工学博士学位,同年入职西安邮电大学 电子工程学院,任电子科学与技术、集成电路工程专业硕士生导师。

讲授课程包括:半导体物理与器件,微电子技术可靠性等。主持陕西省科技厅、教育厅青年项目等项目,作为主要成员参与完成多项自然科学基金和重点研发计划,在Applied Surface Science, Applied Physics Letters, Nanotechnology, IEEE Electronic Device Letters等权威期刊发表论文多篇,授权专利3项,其中1篇获得IOP出版社中国区“高被引文章奖”。目前主要从事宽禁带半导体材料、器件和系统应用的相关研究。

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研究方向

宽禁带半导体规模化制备,范德华混合维度异质集成器件,功率/光电/存储器件片上系统研制。


教学方向

电子科学与技术、集成电路工程


科研项目

1、王湛,2022.01-2023.12,准二维Ga2O3与2H/1T'相MoTe2异质集成深紫外光电器件机理研究,陕西省科技厅青年项目;

2、王湛,2022.01-2023.12,β-氧化镓与半金属碲化钼混合维度异质结宽波段柔性探测器件研究,陕西省教育厅青年项目;

3、王湛,2023.07-2024.07,新型半导体材料与器件测试分析,校间合作项目。


发表论文

1.Wang Zhan; Cheng Kai; Sun Jing;Ma Xiaohua, et al. Ultra-Wide Bandgap Quasi Two-Dimensional β-Ga2O3with Highly In-Plane Anisotropy for Power Electronics, Applied Surface Science, 2023, 619: 156771.

2.Sun, Jing(#); Wang Zhan(#); Wang Saisai; Ma Xiaohua, et al. Transient Form of Polyvinyl Alcohol-based Devices with Configurable Resistive Switching Behavior for Security Neuromorphic Computing,Applied Physics Letter, 2023, 122: 173505.

3.Wang Zhan; Sun Jing; Wang Haolin; Ma Xiaohua,et al. 2H/1T' Phase WS2(1-x)Te2xAlloys Grown by Chemical Vapor Deposition with Tunable Band Structures, Applied Surface Science, 2020, 504:144371.

4.Wang Zhan; Xie Yong; Ma Xiaohua; Hao Yue, et al. NaCl-Assisted One-Step Growth of MoS2-WS2In-Plane Heterostructures, Nanotechnology, 2017, 28: 325602.

5.Xie Yong; Wang Zhan; Zhan Yongjie; Ma Xiaohua, et al. Controllable Growth of Monolayer MoS2by Chemical Vapor Deposition via Close MoO2Precursor for Electrical and Optical Applications, Nanotechnology, 2017, 288: 084001.


会议与工作论文

1、第二十四届全国半导体物理学术会议,2023,上海,口头报告;

2、中国材料大会2022-2023,2023,深圳,口头报告;

3、第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会,2023,济南,海报交流。


电子邮箱 xdwangzhan@163.com


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